Characterization of silicon carbide (SiC) and graphene-based novel semiconductor devices = Ränikarbiidil (SiC) ja grafeenil pōhinevate uudsete pooljuhtstruktuuride karakteriseerimine
Vaata Vaata

Alla laetud 104 korda

Kättesaadav autoriseeritud töökohal Eesti Rahvusraamatukogus, Eesti Kirjandusmuuseumi Arhiivraamatukogus, Tallinna Tehnikaülikooli Raamatukogus, Tartu Ülikooli Raamatukogus ja Tallinna Ülikooli Akadeemilises Raamatukogus

Kättesaadav Eesti Rahvusraamatukogu sisevõrgus

Kättesaadav välisvõrgus

Characterization of silicon carbide (SiC) and graphene-based novel semiconductor devices = Ränikarbiidil (SiC) ja grafeenil pōhinevate uudsete pooljuhtstruktuuride karakteriseerimine

tehnilised andmed

Kirjastaja:
TalTech Press
Ilmumisaeg:
Keel:
inglise
Deposiitor:
Tallinna Tehnikaülikooli Kirjastus
Laad:
raamat
Autoriõigusega kaitstud
ESTER
b53972405
ISBN
978-9949-836-58-1

Püsilink: http://www.digar.ee/id/nlib-digar:630466

Märksõnad

VAATA VEEL